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Primo D-RIE®

为65到16纳米芯片制造提供创新的刻蚀解决方案

作为中微第一代电介质刻蚀产品,Primo D-RIE®是12英寸双反应台多反应腔主机系统,可灵活装置多达三个双反应台反应腔(六个反应台)。每个反应腔都可以在单晶圆反应环境下,同时加工两片晶圆。该设备运用了中微具有自主知识产权的创新技术,包括甚高频和低频混合射频去耦合反应等离子体源、等离子体隔离环、以及用于控制腔体内反应环境的先进工艺组件。Primo D-RIE刻蚀设备可用于加工包括氧化硅、氮化硅及低介电系数膜层等所有的电介质材料。Primo D-RIE于2007年发布之后,由于其较低的生产成本、较高的生产效率和卓越的芯片加工性能,该设备已在国际主流芯片生产线上投入量产。

产品特点

  • 双反应台腔体设计具有 更高的产出效率
  • 双反应台独立射频系统和刻蚀终端控制系统
  • 拥有自主知识产权的射频匹配系统
  • 拥有自主知识产权的等离子体隔离技术

竞争优势

  • 高生产效率,低生产成本(CoO)
  • 设备占地面积小
  • 一体整合的除胶能力及表面电荷减除能力(Primo iDEA®系统)