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Primo SSC AD-RIE™

为26到10纳米芯片制造提供创新的刻蚀解决方案

Primo SSC AD-RIE™是中微于2013年推出的单反应台电介质刻蚀产品,在Primo AD-RIE®产品技术和Primo平台概念的基础上,通过在一个平台上集成六个单反应台以达到产能最大化。除了可独立输运气体的单反应台腔体设计以外,为应对2x纳米以下特别是接触孔刻蚀等关键制程的挑战,该设备还具有以下特性:同步脉冲射频系统、可冷却聚焦环工艺组件和甚低压气体抽运系统等。Primo SSC AD-RIE有利于处理多层薄膜刻蚀的微负载问题、极端边缘形貌问题以及接触孔刻蚀的终端控制问题。Primo SSC AD-RIE已在主流客户16纳米芯片生产线上稳定量产。

产品特点

  • 具有独立气体输运系统的单反应台腔体设计
  • 多区气体调节以及双区静电吸盘温度控制
  • 高抽气率,大容量分子泵
  • 双级同步脉冲射频系统(低频和高频)
  • 可冷却聚焦环工艺组件,提升晶圆边缘性能
  • 高上下电极面积比,以应用于高深宽比结构刻蚀

竞争优势

  • 高电介质材料刻蚀速率,多手段刻蚀均匀度调节
  • 双级同步脉冲射频系统
  • 先进气体抽运系统,以进一步扩大工艺窗口
  • 中高深宽比结构刻蚀的低成本解决方案