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Primo TSV®

高性能、高产能的深硅刻蚀产品

硅通孔技术已经成为先进封装应用的关键技术,应用于CMOS图像传感器、2.5D、三维芯片和芯片切割等领域。Primo TSV®是中微推出的首款用于高性能硅通孔刻蚀应用的高密度等离子体硅通孔刻蚀设备。每台系统可配置多达三个双反应台的反应腔。每个反应腔可同时加工两片晶圆。中微提供的8英寸和12英寸硅通孔刻蚀设备,均可刻蚀孔径从低至1微米以下到几百微米、深度可达几百微米的孔洞,并具有工艺协调性,可根据客户的需求产生不同的刻蚀形状(例如垂直、圆锥形和锥形等)。Primo TSV还具有多种独特的功能,诸如预热反应台、晶圆边缘保护环、低频射频脉冲、侧引入气体均匀化技术等,为TSV应用提供所需的高技术、灵活性和生产能力。

产品特点

  • 电感式耦合高密度等离子体源的双反应台刻蚀腔
  • 高功率射频等离子体源,并具有连续或脉冲的射频偏压
  • 具有快速气体转换的内置气箱
  • 晶圆边缘保护环
  • 制程终端光学控制系统
  • 可调节的双发射天线

竞争优势

  • 具有适合不同应用的工艺调整性
  • 高生产力的主机使每台系统的产能最大化
  • 同一反应腔内融合了Bosch以及恒稳态制程的工艺性能
  • 可从200mm升级到300mm