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Primo nanova®

为 1X纳米及以下逻辑和存储器件刻蚀应用提供创新的解决方案

Primo nanova®是中微基于电感耦合(ICP)技术研发的12英寸刻蚀设备。它可以配置多达六个刻蚀反应腔和两个可选的除胶反应腔。其中刻蚀反应腔采用了轴对称设计,具有高反应气体通量。ICP发射天线采用了中微具有自主知识产权的低电容耦合3D线圈设计,可实现对离子浓度和离子能量的高度独立控制。反应腔内部涂有高致密性、耐等离子体侵蚀材料,以获得更高的工艺重复性和生产率。设备还采用了多区细分的高动态范围温控静电吸盘,使加工出的集成电路器件的关键尺寸达到高度均匀性。Primo nanova适用于1X纳米及以下的逻辑和存储器件的刻蚀应用。

产品特点

  • 轴对称腔体设计
  • 低电容耦合3D线圈设计
  • 高抽速大容量涡轮泵
  • 精密的腔体温控系统
  • 先进的高致密性、耐等离子体侵蚀涂层工艺
  • 多区细分的高动态范围温控静电吸盘
  • 阻抗可调聚焦环设计
  • 切换式双频偏压系统
  • 可选的集成除胶反应腔

竞争优势

  • 离子浓度和离子能量独立可控
  • 高排气量和更宽的工艺窗口
  • 超凡的刻蚀均匀性
  • 优异的高深宽比刻蚀性能
  • 高生产效率,低生产成本(CoO)