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Prismo HiT3™

用于深紫外LED外延片量产的MOCVD设备

中微具有自主知识产权的MOCVD设备Prismo HiT3TM,是适用于高质量氮化铝和高铝组分材料生长的关键设备,反应腔最高温度可大达1400摄氏度,单炉可生长18片2英寸外延片,并可延申到4英寸晶片。 中微高温MOCVD设备Prismo HiT3专为深紫外LED量产而设计,是目前业内紫外LED产能最高的高温MOCVD设备之一。

产品特点

  • 适用于高温氮化铝和深紫外 LED生长的关键设备
  • 优异均匀性和高效能相结合
  • 适合高晶体质量和高AIN生长速率的新颖腔体设计
  • 创新的实时监控系统
  • 工艺温度最高可达1400度,具有优异的温场均匀性和控制稳定性
  • 具有高稳定性、自动化的真空传送系统,抑制颗粒的产生
  • 界面友好、全自动化的操作系统

竞争优势

  • 优异的工艺重复性和均匀性
  • 遵循半导体设计和制造的高标准流程
  • 低生产成本,简便易行的设备维护
  • 业界领先的UVC LED产能及维护周期