电浆刻蝕設備

刻蝕是半導體器件製造中選擇性地移除沉積層特定部分的工藝。 在半導體器件的整個製造過程中,刻蝕步驟多達上百個,是電晶體製造中最常用的工藝之一。
中微公司專注於研發幹法刻蝕(电浆刻蝕)設備,用於在晶圓上加工微觀結構。 幹法刻蝕通過等離子釋放帶正電的離子來撞擊晶圓以去除(刻蝕)資料。 根據所要去除資料和加工器件結構的不同,可分為電介質刻蝕、導體刻蝕和矽通孔刻蝕。
新電子材料的集成和加工器件尺寸的不斷縮小為刻蝕設備帶來了新的科技挑戰,同時對效能的要求(刻蝕均勻性、穩定性和可靠性)越來越高。 中微公司憑藉一系列刻蝕設備組合處於刻蝕創新技術的前沿,幫助晶片製造商加工10納米、7納米甚至5納米及更先進的微觀結構,同時極具成本優勢。
中微公司自主研發生產的刻蝕設備已被眾多領先客戶的晶片生產線所採用,用於製造先進的半導體器件,以推動人工智慧、機器學習和機器人科技的發展。 這些半導體器件還能提供邏輯和記憶體,以應用於消費者電子產品、5G網絡、功能强大的服務器、自動駕駛汽車、智慧電網等領域。

中微公司開發了CCP單台機和雙台機,ICP單台機和雙台機可覆蓋90%刻蝕應用