Primo UD-RIE®是中微公司基于完全自主的知识产权开发的12英寸高端电容耦合等离子体（CCP）刻蚀机。针对存储器件制造中最关键的高深宽比介质刻蚀工艺， Primo UD-RIE® 配备了具备多级脉冲功能的超低频大功率射频系统，有效提高离子能量和准直性；强化了上电极冷却和加热设计，并采用耐高击穿电压的静电吸盘满足大射频功率下的工艺需求；可实现实时温度切换和分区冷却的下电极在扩大工艺窗口的同时提升晶圆边缘刻蚀表现； 优化的腔体涂层适配新型腐蚀性刻蚀气体，有效扩大工艺窗口。 Primo UD-RIE® 还配备了中微公司首创的主动边缘阻抗调节系统，突破了传统的晶圆边缘等离子体壳层的调节方式，极大地提升了设备的量产性能。Primo UD-RIE®可配置最多六个单反应台刻蚀反应腔和两个去胶反应腔，为高深宽比刻蚀提供灵活的解决方案。 Primo UD-RIE® 在存储器件制造中的高深宽比深孔及沟槽刻蚀上表现优异，已经在先进生产线实现大规模量产。